模擬技術
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功率MOSFET基本結構之平面結構
電流從漏極流向源極時，電流在硅片內部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應用芯片的尺寸；而且，這種結構的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定...
2023-11-04 90
淺談MOSFET場效應管的分類及工作原理
JFET工作電流很小，適合于模擬信號放大，分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似，N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。 而且JFET由于應用場合有限，所以市場上該類產品...
2023-11-04 97
功率MOSFET基本結構：超結結構
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通...
2023-11-04 75
晶體管level shifter是怎么實現電平轉換功能的？
這一篇，總結一下level shifter的晶體管級工作原理，就從最傳統的結構講起，詳細分析這個level shifter是怎么實現電平轉換功能的。...
2023-11-03 205
晶體管級施密特觸發器實用原理解析
其實像這些基本的電路、比如D觸發器、Schmitt Trigger，MUX等這些電路在PDK中很多工藝都是有的，但是很多情況下我們需要自己設計有某些功能的電路，所以庫里的單元就不合適了。...
2023-11-03 162
電壓跟隨器是什么放大電路 電壓跟隨器應用電路
為了阻抗匹配、提高帶載能力。由于電壓跟隨器具有輸入阻抗高，而輸出阻抗低的特點，使得它在電路中可以完成阻抗匹配的功能，從而使下一級放大電路工作在更好的狀態下。...
2023-11-03 157
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片...
2023-11-03 179
淺析常見共射極放大電路的輸出阻抗
一般情況下，放大電路的輸出阻抗如無特別說明。都是指交流信號而言的。其次，我們可將三極管看成一個受基極電流控制的電流源，故上圖可等效為下圖...
2023-11-03 25
什么是運算放大器？經典應用電路講解
運算放大器（OperationalAmplifier）簡稱運放，是一種直流耦合，差模（差動模式）輸入，通常為單端輸出的高增益電壓放大器。運算放大器能產生一個比輸入端電勢差大數十萬倍的輸出電勢（對地...
2023-11-03 129
深入理解信號完整性理論方面的基礎知識
100 MHz 時鐘產生后，從信號驅動器芯片輸出的兩種波形：沒有外加引出連線（平滑曲線）的情況和輸出端連接一段2 in長的PCB線條（振鈴曲線）的情況。...
2023-11-03 36
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
應用背景隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器...
2023-11-03 93
功率MOSFET內部結構和工作原理
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流...
2023-11-03 27
功率放大器在抗疲勞高壓電壓電材料研究中的應用
實驗名稱:功率放大器在抗疲勞高壓電壓電材料研究中的應用研究方向:壓電材料測試目的:為了研究材料在疲勞循環下的電學性能變化，本實驗對材料施加交流電壓循環測試，測試壓電陶瓷在經過...
2023-11-03 76
線纜cable轉移阻抗及屏蔽衰減的仿真案例
在該案例的幫助文檔中給出了完整的模型示意圖，可以更加清晰地了解仿真模型與測試設置之間的對應關系。如用電路端口模擬信號發生器和接收機（網絡分析儀），用50Ω電阻模擬內部電路的...
2023-11-03 43
中瑞宏芯致力于開發新一代碳化硅功率芯片和模塊
10月30日，中瑞宏芯半導體宣布，公司于近日完成近億元人民幣的產投融資，由光伏微逆領頭公司禾邁股份和頭部汽車電子供應商納芯微聯合投資。...
2023-11-02 167
一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術替代傳統光耦，并具有豐富的開關選項，高度集成的開關IC集成了功率開關、...
2023-11-02 68
各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析
本文將詳細介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現在的產能應用情況等，探討車企大規模進入功率半導體行業背后的原因，助力車規級功率半導體產業的健康持續發展。...
2023-11-02 78
揭秘寬禁帶器件檢測要點？
雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點，但是現在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛，所以對于氮化鎵器件的生產廠家來說，評測氮化鎵器件的緊迫性也是非常強烈的。...
2023-11-02 24
肖特基二極管選型參數解讀
由此可知，東沃DSS110和DSS110-Q最大的區別是后者是車規級肖特基二極管，品質更加可靠穩定，漏電流小，是一款成熟的肖特基二極管。具體選型應用，需要根據項目需求來定奪。關于正向電流...
2023-11-02 160
如何區分晶振中負載電容與外接電容的問題？
在無源晶振應用方案中，兩個外接電容能夠微調晶振產生的時鐘頻率。而并聯1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當發生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯1MΩ的電阻。...
2023-11-02 30
「模擬電路設計」輸入偏置電流
對于新手或者從事芯片封裝行業的人員經常拿到運放的技術手冊不會看，我們最近就以LM741 Operational Amplifier來進行講解...
2023-11-02 156
預匹配氮化鎵功放管參考應用電路
基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS,占空比為10|%。...
2023-11-02 27
二極管擴散電容CD介紹
擴散電容CD 當給二極管加正向偏壓時，在 PN結兩側的少子擴散區內，都有一定的少數載流子的積累，而且它們的密度隨電壓而變化，形成一個附加的電容效應，稱為擴散電容。 當PN結加上正向電...
2023-11-01 125
二極管的電容效應勢壘電容CB介紹
我們平時在選型 TVS 二極管的時候會遇到一個寄生電容的參數，這個參數在一些通信類的接口中使用時，往往限制我們對于 TVS 二極管的選型。 并且這個寄生電容的大小也隨著 TVS 二極管的功率...
2023-11-01 129
二極管產生反向恢復過程的原因
由于二極管外加正向電壓時，載流子不斷擴散而存儲了大量的電荷，因此導致了反向恢復存在一個過程。 當外加正向電壓時，Ｐ區的空穴向Ｎ區擴散，Ｎ區的電子向Ｐ區擴散。這樣，不僅使勢...
2023-11-01 125
二極管的反向恢復過程
理想二極管工作原理是，在給二極管加正向偏置電壓的時候，二極管正向導通，導通內阻非常小，當施加的電壓反過來，也就是施加反向偏置電壓的時候，二極管截止，從而阻斷線路中的電流。...
2023-11-01 107
電子元器件入門必備的基礎知識
一個電子設備是由許多電子元件和電子器件按-定的連接關系組裝而成。 電子元件通常指一些象電阻器、電容器、電位器、電感器、變壓器等元件。 電子器件通常指半導體二極管、三...
2023-11-01 64
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